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参数资料
| 型号： | IXTQ250N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTH250N075T
IXTQ250N075T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75 V
= 250 A
≤ 4.0 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Maximum Ratings
75 V
75 V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
250
75
560
V
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
I AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
40
1.5
3
A
J
V/ns
G
D
S
(TAB)
T J ≤ 175 ° C, R G = 3.3 ?
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
550
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
300
260
° C
° C
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Weight
Mounting torque
TO-3P
TO-247
1.13 / 10 Nm/lb.in.
5.5 g
6 g
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High power density
Applications
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
75
V
Automotive
- Motor Drives
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 200
5
250
V
nA
μ A
μ A
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 50 A, Notes 1, 2
3.3
4.0
m ?
Applications
DS99637(11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ28N15P | MOSFET N-CH TO-3P |
| IXTQ40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P |
| IXTQ42N25P | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
| IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P |
| IXTQ460P2 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ26N50P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ28N15P | 功能描述:MOSFET MOSFET Polar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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