参数资料
型号: IXTQ26N50P
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
标准包装: 30
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 230 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
IXTQ 26N50P IXTT 26N50P
IXTV 26N50P IXTV26N50PS
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.000
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
TO-268 (IXTT) Outline
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
D9G0223N SWITCH ROTARY DP-23POS OPEN FRM
CM309S-8.000MABJ-UT CRYSTAL 8.0000 MHZ 18PF SMD
D7C0206N-60 SWITCH ROTARY DP-6POS OPEN FRAME
5237WWCD SWITCH TOGGLE MINI
FVXO-LC73B-316 OSC 316 MHZ 3.3V LVDS SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTQ26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ26P20P 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ28N15P 功能描述:MOSFET MOSFET Polar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube