- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18120 > IXTQ26N60P (IXYS)MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTQ26N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH26N60P IXTQ26N60P
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
IXTT26N60P
IXTV26N60P IXTV26N60PS
Fig. 10. Gate Charge
80
10
70
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 13A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10000
1000
100
10
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
Q G - nanoCoulombs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V D S - Volts
Fig. 12. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32563J6105K | FILM CAP 1.0UF 10% 400V |
| FVXO-PC73B-400 | OSC 400 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B423J37ZG22M | SWITCH ROCKER 4PDT 6A 125V |
| FVXO-PC73B-448 | OSC 448 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FVXO-PC73B-450 | OSC 450 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ28N15P | 功能描述:MOSFET MOSFET Polar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ30N50L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ30N50L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。