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参数资料
| 型号： | IXTT28N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 28A TO-268 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 散装 |
Advanced Technical Information
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
IXTH 28N50Q
IXTT 28N50Q
V DSS = 500 V
I D25 = 28 A
R DS(on) = 0.20 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IX T H)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
± 40
28
112
28
40
1.5
V
V
A
A
A
mJ
J
TO-268 (D3) ( IX T T)
G
(TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
10
400
V/ns
W
S
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 to +150
150
-55 to +150
° C
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
Features
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
IXYS advanced low Q g process
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
500
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.5
± 100
25
1
V
V
nA
μ A
mA
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.20
?
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99038(04/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P2023Y | SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V |
| M2015SA1G01 | SW TOGGLE SPDT THR .4VA SLD LUG |
| FXO-LC736R-240 | OSC 240 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 425F11A048M0000 | CRYSTAL 48.0 MHZ 10PF SMD |
| ALD110908PAL | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT2N170D2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N CH 1700V 2A TO-268 |
| IXTT30N50L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT30N50L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT30N50P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT30N60L2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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