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参数资料
| 型号： | IXTT50N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 50N30
IXTT 50N30
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
24
36
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4400
700
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
240
24
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
33
ns
t d(off)
R G = 2 ? (External)
70
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
17
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
165
30
80
nC
nC
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
R thCK
(TO-247)
0.21
0.31
K/W
K/W
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
T rr
Q RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
360
4.0
50
200
1.5
A
A
V
ns
μ C
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
242 BSC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT50P085 | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 |
| IXTT50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT50P085 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -85V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT50P10 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N10 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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