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参数资料
| 型号： | IXTT50P085 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 50P085
IXTT 50P085
-150
Fig. 7. Input Adm ittance
40
Fig. 8. Transconductance
-125
-100
-75
-50
T J = -40oC
25oC
125oC
35
30
25
20
15
T J = -40oC
25oC
125oC
10
-25
0
5
0
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-25
-50
-75
-100
-125
-150
-150
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-125
-100
-75
-9
-8
-7
-6
-5
V DS = -50V
I D = -25A
I G = -1mA
-50
-25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-4
-3
-2
-1
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
0
20
40
60
80
100
120
140
6000
5000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1.00
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
4000
3000
2000
1000
C iss
C oss
0.10
0
C rss
0.01
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
10
100
1000
V D S - Volts
Pulse Width - milliseconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXTT74N20P | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT50P10 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N10 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT64N25P | 功能描述:MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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