- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18236 > IXTT72N20 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 72A TO-268 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTT72N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 72A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
High Current
Power MOSFET
IXTH 72N20
IXTT 72N20
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 72 A
= 33 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXTH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
72
288
72
50
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (IXTT) Case Style
(TAB)
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.5
5
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
International standard packages
M d
Weight
Mounting torque
TO-247 AD
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
4 g
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200 V
Advantages
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0
± 100
25
1
V
nA
μ A
mA
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
33
m ?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99019(03/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2T25SA5G30 | SW TOGGLE BAT DPDT GOLD R/A PC |
| FXO-HC735R-150.239 | OSC 150.239 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32669C3605J | FILM CAP 6.0UF 5% 250V |
| MLW3013-12-RB-2A | SWITCH ROCKER SPDT 5A 125V |
| M2028LL1W01 | SW TOGGLE DPDT LOCK LVR THR SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N10 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N10L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。