- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18677 > IXTT82N25P (IXYS)MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTT82N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 142nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 82N25P IXTQ 82N25P
IXTT 82N25P
90
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
180
160
140
120
V GS = 10V
9V
8V
100
40
7V
80
30
60
7V
20
10
0
6V
40
20
0
6V
0
0.5
1
1.5 2
V DS - V olts
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8 10 12
V DS - V olts
14
16
18
20
90
Fig. 3. Output Char acte r is tics
@ 125 o C
2.6
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 82A
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I D = 41A
0
1
2
3 4 5
V DS - V olts
6
7
8
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
Fig. 6. Dr ain Cur re nt vs . Cas e
3.7
3.4
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.5 I D25 V alue vs . I D
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Te m pe r ature
Externak Lead C urrent Lim it
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
I D - A mperes
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 |
| IXFV12N90PS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD |
| OPB933W51Z | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP |
| OPB932W51Z | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP |
| OPB931W51Z | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 150 V 0.022 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT8P50 | 功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT90P10P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。