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参数资料
| 型号： | IXTU01N100D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 欧姆 @ 50mA，0V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 25µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | TO-251 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage MOSFET
N-Channel, Depletion Mode
Preliminary Data Sheet
IXTP 01N100D
IXTU 01N100D
IXTY 01N100D
V DSS = 1000 V
I D25 = 100 mA
R DS(on) = 110 Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSX
V DGX
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C
Continuous
1000
1000
± 20
V
V
V
TO-220 (IXTP)
V GSM
I DSS
Transient
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
± 30
100
V
mA
G
DS
D (TAB)
I DM
P D
T J
T JM
T C = 25°C, pulse width limited by T J
T C = 25°C
T A = 25°C
400
25
1.1
-55 ... +150
150
mA
W
W
°C
°C
TO-251 (IXTU)
G
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
300
°C
°C
D
S
D (TAB)
T ISOL
M d
Weight
Plastic case for 10 s (IXTU)
Mounting torque TO-220
TO-220
300
1.3 / 10
4
°C
Nm/lb.
g
TO-252 (IXTY)
TO-251
TO-252
0.8
0.8
g
g
G
S
D (TAB)
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
min. typ. max.
Features
V DSX
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
V GS = -10 V, I D = 25 μ A
V DS = 25V, I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSX , V GS = -10 V
T J = 125 ° C
1000
-2.5
-5
± 100
10
250
V
V
nA
μ A
μ A
Normally ON mode
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching speed
Applications
Level shifting
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0 V, I D = 50 mA
V GS = 0 V, V DS = 25V
Note 1
Note 1
90
100
110
Ω
mA
Triggers
Solid state relays
Current regulators
? 2006 IXYS All rights reserved
98809B (01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTU01N100 | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
| IXTU01N80 | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 |
| IXTU05N100 | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 |
| IXTU12N06T | MOSFET N-CH 60V 12A TO-251 |
| IXTU2N80P | MOSFET N-CH TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTU01N80 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU02N50D | 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU05N100 | 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU05N120 | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTU06N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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