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参数资料
| 型号： | IXTV200N10TS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM Power
MOSFET
IXTV200N10T
IXTV200N10TS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 200A
≤ 5.5m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
PLUS220 (IXFV)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
S
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
100
100
± 30
V
V
V
G
D
D (TAB)
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
200
75
500
A
A
A
PLUS220SMD (IXFV_S)
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
40
1.5
A
J
G
S
D (TAB)
P D
T C = 25 ° C
550
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
F C
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting force (PLUS220)
PLUS220 types
300
260
11.65 / 2.5..14.6
4
° C
° C
N/lb.
g
Features
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
100
2.5
V
4.5 V
± 200 nA
Applications
Automotive
- Motor Drives
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
5
250
μ A
μ A
- High Side Switch
- 12V Battery
- ABS Systems
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 50A , Notes 1, 2
4.5
5.5 m Ω
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary - Side Switch
High Current Switching Applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99714A(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB930W51Z | SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP |
| IXTH30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 |
| XRCWHT-L1-0000-005E4 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| OPB983P51Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
| XRCWHT-L1-0000-005E3 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV22N50P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N50PS | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N60P | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV22N60PS | 功能描述:MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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