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参数资料
| 型号： | IXTV26N60PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTH26N60P IXTQ26N60P
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
IXTT26N60P
3.2
IXTV26N60P IXTV26N60PS
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem pe rature
24
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
20
2.4
16
12
8
4
0
6V
5V
2
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 26A
I D = 13A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs . I D
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Te m perature
2.8
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
27
24
21
18
2
1.6
15
12
9
1.2
0.8
T J = 25 o C
6
3
0
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
50
45
I D - Amperes
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
T C - Degrees Centigrade
Fig. 8. Transconductance
40
35
30
25
40
35
30
25
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
20
15
10
5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V G S - Volts
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5639MA | SWITCH TOGGLE MINI |
| A23AW | SW TOGGLE BAT DPDT EXTENDED PC |
| FXO-PC736R-80 | OSC 80 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FXO-PC736R-91.4 | OSC 91.4 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B25832C4156K9 | MKV CAPACITOR 15UF 640V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV280N055TS | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N60P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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