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参数资料
| 型号： | IXTV280N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 |
| 产品目录绘图： | PLUS220 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTV 280N055T
IXTV 280N055TS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55 V
= 280 A
≤ 3.2 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS220 (IXTV)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
55
55
V
V
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
280
75
600
40
1.5
V
A
A
A
A
J
G
D
S
PLUS220SMD (IXTV_S)
D (TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 3.3 ?
3
V/ns
G
S
D (TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting force (PLUS220)
550
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
11...65 /2.5...15
3
W
° C
° C
° C
° C
° C
N/lb.
g
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Automotive
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
55
V
- Motor Drives
- High Side Switch
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 150 ° C
V GS = 10 V, I D = 50 A, Notes 1, 2
2.0
2.6
4.0
± 200
5
250
3.2
V
nA
μ A
μ A
m ?
- 12V Battery
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary- Side Switch
High Current Switching
Applications
DS99687(11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB991L11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LS5E6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB990T11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LS4F8 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB990P11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV280N055TS | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N50PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N60P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV30N60PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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