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参数资料
| 型号： | IXTV30N60PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 30N60P IXTQ 30N60P IXTT 30N60P
IXTV 30N60P IXTV 30N60PS
90
Fig. 9. Source Curre nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
50
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 15A
I G = 10m A
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10000
V S D - V olts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Ope rating Are a
R DS(on) Lim it
1000
100
C iss
C oss
10
T J = 150oC
DC
10m s
1m s
25μs
100μs
10
f = 1MH z
C rss
1
T C = 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
1.00
0.10
0.01
V D S - V olts
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
V D S - V olts
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5003.0121.1 | MODULE POWER ENTRY 125VDC 3A |
| MRS93-16BB | SWITCH ROCKER SPST-NO 12A 125V |
| 5003.0111.1 | MODULE POWER ENTRY 125VDC 3A |
| ABM3C-33.000MHZ-KVF-T | CRYSTAL 33.000 MHZ 18PF SMD |
| 5120.3034.0 | 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV36N50PS | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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