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参数资料
| 型号： | IXTX60N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60A 500V PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 610nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXTK60N50L2
IXTX60N50L2
100
90
80
Fig. 7. Input Admittance
55
50
45
Fig. 8. Transconductance
70
40
T J = - 40oC
25oC
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
35
30
25
20
15
10
5
0
125oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
60
T J = 125oC
14
12
10
8
6
V DS = 250V
I D = 30A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.000
0.100
0.010
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82801C0565A100 | TRANSF CURRENT SENSE 5.6MH SMD |
| CMPA0060002F | TRANS RF GAN HEMT MMIC 780019PKG |
| B82801B803A20 | TRANSF CURRENT SENSE 80UH SMD |
| B82801B205A100 | TRANSF CURRENT SENSE 2000UH SMD |
| B82801B504A50 | TRANSF CURRENT SENSE 500UH SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTX8N150L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY 01N100D | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-252AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
| IXTY01N100 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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