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参数资料
| 型号： | IXTY02N50D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 200MA DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 欧姆 @ 50mA，0V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
High Voltage MOSFET
N-Channel, Depletion Mode
Preliminary Data Sheet
IXTP 02N50D
IXTU 02N50D
IXTY 02N50D
V DSS = 500 V
I D25 = 200 mA
R DS(on) = 30 Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
V DSX
V DGX
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C
500
500
V
V
V GS
V GSM
I DSS
Continuous
Transient
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
± 20
± 30
200
V
V
mA
GD
S
D (TAB)
I DM
P D
T J
T C = 25°C, pulse width limited by T J
T C = 25°C
T A = 25°C
800
25
1.1
-55 ... +150
mA
W
W
°C
TO-251 (IXTU)
T JM
T stg
150
-55 ... +150
°C
°C
G
D
S
D (TAB)
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
°C
T ISOL
Plastic case for 10 s (IXTU)
300
°C
TO-252 (IXTY)
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-220
1.3 / 10
4
Nm/lb.
g
TO-251
TO-252
0.8
0.8
g
g
G
S
D (TAB)
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
min. typ. max.
Features
Normally ON mode
V DSX
V GS = -10 V, I D = 25 μ A
500
V
Low R DS (on) HDMOS TM process
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
V DS = 25V, I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS , V GS = -10 V
T J = 125 ° C
-2.5
-5
± 100
10
250
V
nA
μ A
μ A
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching speed
Applications
Level shifting
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0 V, I D = 50 mA
V GS = 0 V, V DS = 25V
Note 1
Note 1
20
250
30
Ω
mA
Triggers
Solid state relays
Current regulators
? 2006 IXYS All rights reserved
98861A (01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 |
| PL30-20-130B | TRANSF LO PRO DUAL 10VAC 3.0A |
| PL30-24-130B | TRANSF LO PRO DUAL 12VAC 2.5A |
| IXTP01N100D | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
| PL20-16-130B | TRANSF LO PRO DUAL 8VAC 2.5A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY05N100 | 功能描述:MOSFET Legacy MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY06N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTY08N100D2 | 功能描述:MOSFET 8mAmps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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