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参数资料
| 型号： | IXTY1N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 331pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA1N100P
IXTP1N100P
IXTY1N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 1.0A
≤ 15 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
G
S
(TAB)
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
1.0
V
V
A
TO-220 (I XTP )
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.8
1.0
100
A
A
mJ
G
D S
(TAB)
dV/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
10
50
V/ns
W
TO-252 (IXTY)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting torque
(TO-220)
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
G
G = Gate
S = Source
Features
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
Weight
TO-263
TO-220
TO-252
2.50
3.00
0.35
g
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
1000
2.5
V
4.5 V
± 50 nA
5 μ A
100 μ A
High power density
Applications
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC Converters
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
12.2
15
Ω
Laser Drivers
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99234G(4/08)
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PDF描述 |
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| IXTY1R4N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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