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参数资料
| 型号： | IXTY1R4N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 63W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R4N100P IXTA1R4N100P
IXTP1R4N100P
1.4
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
2.2
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
1.2
V GS = 10V
7V
2
1.8
V GS = 10V
7V
1
6V
1.6
1.4
0.8
0.6
0.4
1.2
1
0.8
0.6
6V
0.2
5V
0.4
5V
0.2
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
1.4
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.7A Value vs.
Junction Temperature
1.2
7V
2.6
V GS = 10V
1
0.8
6V
2.2
1.8
I D = 1.4A
0.6
1.4
I D = 0.7A
0.4
0.2
0
5V
1.0
0.6
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 0.7A Value vs.
Drain Current
1.6
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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参数描述 |
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