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参数资料
| 型号： | IXTY1R6N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R6N100D2 IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-252 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 30V, I D = 0.8A, Note 1
V GS = -10V, V DS = 25V, f = 1MHz
0.65
1.10
645
43
11
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = ± 5V, V DS = 500V, I D = 0.8A
R G = 5 Ω (External)
27
65
34
41
ns
ns
ns
ns
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom Side
Q g(on)
27.0
nC
Dim.
Millimeter
Inches
Q gs
Q gd
V GS = 5V, V DS = 500V, I D = 0.8A
1.6
13.5
nC
nC
A
A1
Min. Max.
2.19 2.38
0.89 1.14
Min. Max.
0.086 0.094
0.035 0.045
R thJC
R thCS
TO-220
0.50
1.25 ° C/W
° C/W
A2
b
b1
b2
0
0.64
0.76
5.21
0.13
0.89
1.14
5.46
0
0.025
0.030
0.205
0.005
0.035
0.045
0.215
Safe-Operating-Area Specification
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
c
c1
D
D1
E
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
SOA
V DS = 800V, I D = 75mA, T C = 75 ° C, Tp = 5s
60
W
E1
e
4.32 5.21
2.28 BSC
0.170 0.205
0.090 BSC
e1
4.57 BSC
0.180 BSC
Source-Drain Diode
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
V SD
t rr
I RM
Q RM
I F = 1.6A, V GS = -10V, Note 1
I F = 1.6A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = -10V
0.8
970
9.96
4.80
1.3
V
ns
A
μ C
TO-220 Outline
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
TO-263 Outline
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
4.06
4.83
.160
.190
b
b2
c
0.51
1.14
0.40
0.99
1.40
0.74
.020
.045
.016
.039
.055
.029
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
c2
D
D1
E
1.14
8.64
8.00
9.65
1.40
9.65
8.89
10.41
.045
.340
.280
.380
.055
.380
.320
.405
1.
2.
3.
4.
Gate
Drain
Source
Drain
Bottom Side
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
| IXTY4N60P | MOSFET N-CH TO-252 |
| IXTY55N075T | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY1R6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY1R6N50P | 功能描述:MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY26P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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