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参数资料
| 型号： | IXTY1R6N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 欧姆 @ 800mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
1.6
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
10
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 5V
3V
2V
1V
0V
-1V
9
8
7
6
5
4
V GS = 5V
3V
2V
1V
0V
3
0.4
0.2
0.0
-2V
2
1
0
-1V
-2V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
1.6
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 5V
1E+00
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
V GS = - 2.25V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
2V
1V
0V
-1V
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
- 2.50V
- 2.75V
- 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
0.4
-2V
0.2
0.0
-3V
1E-05
1E-06
- 4.00V
0
1
2
3
4
5
6
0
100
200
300
400
500
600
1.E+00
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
V GS = -2.50V
1.E+08
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
? V DS = 350V - 100V
1.E-01
-2.75V
-3.00V
1.E+07
1.E-02
-3.25V
-3.50V
1.E+06
1.E+05
T J = 100oC
T J = 25oC
1.E-03
1.E-04
-3.75V
-4.00V
1.E+04
1.E+03
0
100
200
300
400
500
600
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
-2.6
-2.4
-2.2
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK |
| MICRF213AYQS | IC RX 3.3V 300-350 MHZ 16-QSOP |
| MICRF211AYQS | IC RX 3V 380-450 MHZ 16-QSOP |
| MICRF219AAYQS | IC RECEIVER QWIKRADIO 16QSOP |
| MICRF219AYQS | IC RECEIVER QWIKRADIO 16-QSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY1R6N50P | 功能描述:MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY26P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N100P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY2N60P | 功能描述:MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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