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参数资料
| 型号： | IXTY2N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
V DSS
I D25
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA2N80P
IXTP2N80P
IXTU2N80P
IXTY2N80P
= 800 V
= 2 A
R DS(on) ≤ 6 Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
800
V
800
V
± 30
V
± 40
V
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
2
4
2
10
100
5
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
G
D S
TO-251 (IXTU)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 30 Ω
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
70
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G
D
S
(TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
TO-252 (IXTY)
G
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-263
(TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
3 g
2.5 g
S
(TAB)
TO-252
0.35 g
TO-251
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
0.4 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 125 ° C
3.0
5.0
5.5
± 100
5
50
6.0
V
nA
μ A
μ A
Ω
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99595E(10/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445A32H12M00000 | CRYSTAL 12.000000 MHZ 32PF SMD |
| 445A32G30M00000 | CRYSTAL 30.000000 MHZ 30PF SMD |
| 445A32G27M00000 | CRYSTAL 27.000000 MHZ 30PF SMD |
| 445A32G25M00000 | CRYSTAL 25.000000 MHZ 30PF SMD |
| 445A32G24M57600 | CRYSTAL 24.576000 MHZ 30PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY2R4N50P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY32P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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