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参数资料
| 型号： | IXTY2R4N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.75 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP 2R4N50P
IXTY 2R4N50P
3.5
3
Fig. 7. Input Adm ittance
4
3.5
Fig. 8. Tr ans conductance
2.5
2
3
2.5
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
1.5
1
0.5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
2
1.5
1
0.5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
7
V G S - V olts
Fig. 9. Source Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
6
5
4
3
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 1.2A
I G = 10m A
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
1
2
3
4
5
6
7
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
1000
Fig. 11. Capacitance
10
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
f = 1MH z
R DS(on) Lim it
100
10
C is s
C os s
1
T J = 150 o C
DC
25μs
100μs
1m s
10m s
1
C rs s
0.1
T C = 25 o C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32231D6334M000 | CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL |
| B32231D3474K000 | CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL |
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| B32653A3334J000 | CAP FILM 0.33UF 250VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY32P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY48P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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