JAN1N5621

配单专家企业名单

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说明
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JAN1N5621
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
D MET 1A FAST 800V
1711+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

JAN1N5621
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

JAN1N5621
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

JAN1N5621
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
SEMTECH
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Case A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
FAST RECOVERY RECTFR 800V 1A 2PIN A - Bulk

JAN1N5621 技术参数

JAN1N5620US 功能描述:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5620 功能描述:Diode Standard 800V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5619US 功能描述:Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5619 功能描述:Diode Standard 600V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5618US 功能描述:Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5639A JAN1N5640A JAN1N5642A JAN1N5644A JAN1N5645A JAN1N5646A JAN1N5647A JAN1N5648A JAN1N5649A JAN1N5651A JAN1N5652A JAN1N5653A JAN1N5655A JAN1N5660A JAN1N5711-1 JAN1N5711UR-1 JAN1N5772 JAN1N5802