JAN1N5802全国供应商【买卖IC网】JAN1N5802资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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JAN1N5802
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
D MET 2.5A SFST 50V
1708+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

JAN1N5802
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

JAN1N5802
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

JAN1N5802
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
SEMTECH
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

JAN1N5802
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
6825
MIXE
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 50V 2.5A 2-Pin Case A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 2.5A 2PIN D-5A - Bulk

JAN1N5802 技术参数

JAN1N5711UR-1 功能描述:Diode Schottky 70V 33mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/444 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:33mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N5711-1 功能描述:Diode Schottky 70V 33mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/444 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:33mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 70V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N5660A 功能描述:TVS DIODE 111VWM 179VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:111V 电压 - 击穿（最小值）:124V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:179V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5655A 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:113V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:13.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5653A 功能描述:TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:58.1V 电压 - 击穿（最小值）:64.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:92V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:16.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5807URS JAN1N5807US JAN1N5809 JAN1N5809URS JAN1N5809US JAN1N5811 JAN1N5811URS JAN1N5811US JAN1N5814 JAN1N5816 JAN1N5819-1 JAN1N5819UR-1 JAN1N5819UR-1/TR JAN1N5822 JAN1N5907 JAN1N5968 JAN1N6036A JAN1N6039A