JANTX1N2986BR

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JANTX1N2986BR 技术参数

JANTX1N2985B 功能描述:Zener Diode 22V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2982B 功能描述:Zener Diode 18V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2980B 功能描述:Zener Diode 16V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2979B 功能描述:Zener Diode 15V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N2976B 功能描述:Zener Diode 12V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTX1N3011B JANTX1N3016B-1 JANTX1N3016BUR-1 JANTX1N3016C-1 JANTX1N3016CUR-1 JANTX1N3016D-1 JANTX1N3016DUR-1 JANTX1N3017B-1 JANTX1N3017BUR-1 JANTX1N3017C-1 JANTX1N3017CUR-1 JANTX1N3017D-1 JANTX1N3017DUR-1 JANTX1N3018B-1 JANTX1N3018BUR-1 JANTX1N3018C-1 JANTX1N3018CUR-1 JANTX1N3018D-1