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参数资料
| 型号： | J10-T |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | J10-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J05-A | 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| J2-T | RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| J1-T | RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| J1-A | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| J8-A | 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| J11 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:J TYPE INTERLOCK 1NO AND 1NC 制造商:EMERSON CONNECTIVITY SOLUTIONS 功能描述:TPS Miniature Patch Jack |
| J110 | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| J110 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| J110,126 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 80mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| J110 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
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