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参数资料
| 型号： | J211-TR1-E3 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | J211-TR1-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J21DPM-10V-KY | 10 CONTACT(S), MALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
| J21DPM-12V-KX | 12 CONTACT(S), MALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
| J21DPM-12V-KY | 12 CONTACT(S), MALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
| J21DPM-16V-KX | 16 CONTACT(S), MALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
| J21DPM-16V-KY | 16 CONTACT(S), MALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| J212 | 功能描述:JFET 25V 15mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| J212_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| J212_SOT-23 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| J212_TO-92 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| J212091 | 制造商:MERSEN / FERRAZ SHAWMUT 功能描述:FUSE HOLDER 14X51MM 3 POLE CMS 制造商:MERSEN / FERRAZ SHAWMUT 功能描述:FUSE HOLDER, 14X51MM, 3 POLE, CMS |
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