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参数资料
| 型号： | J309 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 30mA |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | J309OS |
J309, J310
http://onsemi.com
4
ID, DRAIN CURRENT (mA)
100 k
10 k
1.0 k
100
0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
1.0 k
100
10
1.0
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE ( mhos)
Y
fs
μ
, OUTPUT ADMITTANCE ( mhos)
Y
os
μ
VGS(off)
= ?
VGS(off)
= ?
Figure 3. Common?Source Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
Yfs
Yfs
Yos
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 00
6.0
7.0
8.0
9.0
0
10
CAPACITANCE (pF)
10
7.0
4.0
1.0
120
96
72
48
24
, ON RESISTANCE (OHMS)
R
DS
RDS
Cgs
Cgd
Figure 4. On Resistance and Junction
Capacitance versus Gate?Source Voltage
|Y
11
|, |Y
21
|, |Y
22
| (mmhos)
Y
12
(mmhos)
30
24
18
12
6.0
0100 200 300 500 700
1000
f, FREQUENCY (MHz)
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
|S21|, |S11|
0.85
0.45
0.79
0.39
0.73
0.33
0.67
0.27
0.61
0.21
0.55
0.15100 200 300 500 700
|S12|, |S22|
0.060
1.00
0.048
0.98
0.036
0.96
0.024
0.94
0.012
0.92
0.90
1000
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Common?Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
Figure 6. Common?Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
Y11
Y21
Y22
Y12
S22
S21
S11
S12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
f, FREQUENCY (MHz)
21, 11
50°
40°
30°
20°
10°
0°100 200 300 500 700
180°
170°
160°
150°
140°
130°
12, 22
?0°
?°
?°
?°
84°
?°
83°
1000?°
82°
?°
?°
?°
?°
?°
87°
86°
85°
Figure 7. Common?Gate Y Parameter
Phase?Angle versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
11, 12
°
120°
°
100°
°
80°
°
60°
°
40°
°
20100 200 300 500 700°
?
?
?
?
?
?
21, 22
0
?°
?°
?°
?°
?°
1000
Figure 8. S Parameter Phase?Angle
versus Frequency
22
21
12
11
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
11
21
22
21
11
12
VDS
= 10 V
ID
= 10 mA
TA
= 25
°C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| J309 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J309_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| J309_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET VHF/UHF Amplifiers N.Channel . Depletion |
| J309_D26Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| J309_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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