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参数资料
| 型号： | J310 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO92 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 10V |
| 额定电流： | 60mA |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 25V |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | J310OS |
J309, J310
http://onsemi.com
3
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping?
J309
TO?92
1000 Units / Bulk
J309G
TO?92
(Pb?Free)
J310
TO?92
1000 Units / Bulk
J310G
TO?92
(Pb?Free)
J310RLRP
TO?92
2000 Units / Tape & Ammo Box
J310RLRPG
TO?92
(Pb?Free)
J310ZL1
TO?92
2000 Units / Tape & Ammo Box
J310ZL1G
TO?92
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
70
60
50
40
30
20
, SATURATION DRAIN CURRENT (mA)
?5.0 ?4.0 ?3.0 ?2.0
?1.0 00
ID
? V
GS, GATE?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
DSS
10
70
60
50
40
C
30
20
C
10
, DRAIN CURRENT (mA)
I
D
IDSS
? V
GS, GATE?SOURCE CUTOFF VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Drain Current and Transfer
Characteristics versus Gate?Source Voltage
VDS
= 10 V
IDSS
+°C
TA
= ?
°C
+°C
+°C
?°C
+150°
+150°
VGS, GATE?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
05.0 4.0 3.0 2.0
1.0 0
35
30
25
20
15
10
5.0
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE (mmhos)
Y
fs
Figure 2. Forward Transconductance
versus Gate?Source Voltage
VDS
= 10 V
f = 1.0 MHz
TA
= ?
°C
+°C
+150°C
+°C
?°C
+150°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| E2015P-CF | SW TOGGLE SPDT MOM 3A GN CAP SLD |
| E2018P | SW TOGGLE SPDT MOM 3A SILVER PC |
| E2019 | SW TOGGLE SPDT MOM 3A SLVR SLD |
| E2018 | SW TOGGLE SPDT MOM 3A SLVR SLD |
| E2015 | SW TOGGLE SPDT MOM 3A SLVR SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| J-310 | 制造商:NTE Electronics 功能描述: |
| J310 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J310_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| J310_D26Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| J310_D26Z_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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