型号: | JAN1N3825A-1 |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 4.7 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
封装: | DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 31K |
代理商: | JAN1N3825A-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JAN1N5298-1 | 1.1 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-35 |
JAN1N5305-1 | 2 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-35 |
JAN1N5313-1 | 4.3 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N3825AUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 4.7V 5% 1W 2PIN DO-213AB - Bulk |
JAN1N3825C-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
JAN1N3825CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB(MELF,LL41) 标准包装:1 |
JAN1N3825D-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
JAN1N3825DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB(MELF,LL41) 标准包装:1 |