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参数资料
| 型号： | JAN1N3825A |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | JAN1N3825A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTX1N3027B | 20 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
| JANTXV1N3027B | 20 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
| JANTXV1N3016B | 6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
| JAN1N3827A | 5.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
| JANTX1N3043B | 91 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N3825A-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 4.7V 5% 1W 2PIN DO-41 - Bulk |
| JAN1N3825AUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 4.7V 5% 1W 2PIN DO-213AB - Bulk |
| JAN1N3825C-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N3825CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41） 标准包装:1 |
| JAN1N3825D-1 | 功能描述:Zener Diode 4.7V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
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