参数资料
型号: JAN1N4100
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 7.5 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GLASS PACKAGE-2
文件页数: 1/1页
文件大小: 55K
代理商: JAN1N4100
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PDF描述
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参数描述
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JAN1N4100C-1 功能描述:Zener Diode 7.5V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JAN1N4100CUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JAN1N4100D-1 功能描述:Zener Diode 7.5V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JAN1N4100DUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1