参数资料
型号: JAN1N4105
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 11 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
文件页数: 1/4页
文件大小: 109K
代理商: JAN1N4105
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PDF描述
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JAN1N6110 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
JAN1N4105-1 制造商:Aeroflex 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk
JAN1N4105C-1 功能描述:Zener Diode 11V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 8.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JAN1N4105CUR-1 功能描述:Zener Diode 11V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 8.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JAN1N4105D-1 功能描述:Zener Diode 11V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 8.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
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