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参数资料
| 型号： | JAN1N4459 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | JAN1N4459 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N1206A | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N3671A | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| JANTX1N3673A | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
| JAN1N1186 | 35 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N1184 | 35 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N4459R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 1KV 5A 2PIN DO-4 - Bulk |
| JAN1N4460 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.2V 5% 1.5W 2PIN A - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Zener Diode, Two Terminal, 6.2 Volt, 5%, DO-204AL |
| JAN1N4460C | 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3.72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4460D | 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3.72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4460US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.2V 5% 1.5W 2PIN D-5A - Bulk |
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