参数资料
型号: JAN1N4464
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 9.1 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 122K
代理商: JAN1N4464
相关PDF资料
PDF描述
JAN1N4493 150 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JANTXV1N4474 24 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JANTX1N4473 22 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JAN1N4491 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
JANTXV1N4471 18 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
JAN1N4464C 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1
JAN1N4464CUS 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1
JAN1N4464D 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1
JAN1N4464DUS 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 5.46V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1
JAN1N4464US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk