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参数资料
| 型号： | JAN1N4478US |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 36 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | JAN1N4478US |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JAN1N4479C | 功能描述:Zener Diode 39V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4479CUS | 功能描述:Zener Diode 39V 1.5W ±2% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
| JAN1N4479D | 功能描述:Zener Diode 39V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| JAN1N4479DUS | 功能描述:Zener Diode 39V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 |
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