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参数资料
| 型号： | JAN1N4948 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | JAN1N4948 |
SENSITRON
___
SEMICONDUCTOR
Your Power Solutions Provider
______________________________________________________________________________________
2008 Sensitron Semiconductor
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681
Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 www.sensitron.com sales@sensitron.com
1N4942 thru 1N4948
Standard
F
FA
AS
ST
T R
RE
EC
CO
OV
VE
ER
RY
Y R
RE
EC
CT
TIIF
FIIE
ER
RS
S
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5109, REV. A
Fast Recovery Rectifiers
*Sensitron equivalent diodes are manufactured and screened to MIL-PRF-19500 flow and guidelines starting from wafer
fabrication through assembly and testing using our internal specification.
AVAILABLE AS
1N
JAN
JANTX
JANTXV
EQUIVALENT (SJ,SX,SV)*
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TYPE
NUMBER
PEAK
INVERSE
VOLTAGE
MIN
BREAKDOWN
VOLTAGE
AVG
RECTIFIED
CURRENT
Amps
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
Amps
MAX.
FORWARD
VOLTAGE
(PULSED)
VF @ 1A
MAX.
CAP.
C @ -12V
MAXIMUM
SURGE
CURRENT
1
IFSM
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
TIME
2
Trr
Volts
55 C
25 C
150 C
V
pF
Amps
nsec
1N4942
1N4944
1N4946
1N4947
1N4948
200
400
600
800
1000
220
440
660
880
1100
1.0
200
1.3
45
35
25
20
15
5000
35
25
20
15
DESCRIPTION:
This voidless hermetically sealed fast recovery rectifier diode series is military qualified per MIL-
PRF-19500/359 and is targeted for commerical and military aircraft, military vehicles, space,
shipboard markets and all high reliability and space applications.
FEATURES / BENEFITS:
Hermetic, non-cavity glass package
Category I Metallurgically bonded
JAN/ JANTX/ JANTXV available per
MIL-PRF-19500/359
Tin/Lead hot solder dip ( HSD) termination
finish
MAXIMUM RATINGS
Operating and Storage Temperature: -65
oC to
+175
oC
Solder temperature: 260
oC for 10s (max)
Thermal Resistance: 38
oC (junction to lead)
Forward surge current: 15A @ 8.3 ms half-sine
Note 1: Io = 1A, 8ms surge
Note 2: IF=0.5A, Irm=1A, Ir(REC) =.250A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| JANTX1N4948 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| JANTXV1N4944 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JAN1N4954CUS | 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
| JAN1N4954D | 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N4954DUS | 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
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