参数资料
型号: JAN1N4965US
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 20 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件页数: 2/3页
文件大小: 66K
代理商: JAN1N4965US
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2010 Semtech Corp.
www.semtech.com
POWER DISCRETES
1N4954US THRU 1N4990US
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Electrical Specifications (Cont.)
Notes:
(1) Operating Temperature: -55
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(2) Storage Temperature: -65
°C to 175°C .
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PDF描述
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参数描述
JAN1N4966 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 22V 5% 5W 2PIN E - Bulk
JAN1N4966C 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1
JAN1N4966CUS 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4966D 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1
JAN1N4966DUS 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1