型号: | JAN1N4966 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 22 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 435K |
代理商: | JAN1N4966 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N4966C | 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 |
JAN1N4966CUS | 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
JAN1N4966D | 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 |
JAN1N4966DUS | 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
JAN1N4966US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk |