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参数资料
| 型号： | JAN1N4969US |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | JAN1N4969US |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| JAN1N4970C | 功能描述:Zener Diode 33V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N4970CUS | 功能描述:Zener Diode 33V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
| JAN1N4970D | 功能描述:Zener Diode 33V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N4970DUS | 功能描述:Zener Diode 33V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 |
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