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参数资料
型号： JAN1N4982
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 100 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数： 1/2页
文件大小： 79K
代理商： JAN1N4982
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PDF描述
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参数描述
JAN1N4982C 功能描述:Zener Diode 100V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1
JAN1N4982CUS 功能描述:Zener Diode 100V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4982D 功能描述:Zener Diode 100V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E，轴向 标准包装:1
JAN1N4982DUS 功能描述:Zener Diode 100V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1
JAN1N4982US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk
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