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参数资料
| 型号： | JAN1N5476C |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 100 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 封装： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 12K |
| 代理商： | JAN1N5476C |
KNOX SEMICONDUCTOR, INC.
P.O. BOX 609 ROCKPORT, MAINE 04856
2072366076
FAX 2072369558
-25-
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5441 TO 1N5476
TYPE
CAPACITANCE
TUNING RATIO
MIN QUALITY FACTOR
NUMBER
@ - 4 Vdc 1 MHz
C2 V / C30V
Q @ - 4 Vdc
(pF)
MIN
MAX
f = 50 MHz
1N5441
6.8
2.5
3.1
450
1N5442
8.2
2.5
3.1
450
1N5443
10.0
2.6
3.1
400
1N5444
12.0
2.6
3.1
400
1N5445
15.0
2.6
3.1
400
1N5446
18.0
2.6
3.1
350
1N5447
20.0
2.6
3.1
350
1N5448
22.0
2.6
3.2
350
1N5449
27.0
2.6
3.2
350
1N5450
33.0
2.6
3.2
350
1N5451
39.0
2.6
3.2
300
1N5452
47.0
2.6
3.2
250
1N5453
56.0
2.6
3.3
200
1N5454
68.0
2.7
3.3
175
1N5455
82.0
2.7
3.3
175
1N5456
100.0
2.7
3.3
175
1N5461
6.8
2.7
3.1
600
1N5462
8.2
2.8
3.1
600
1N5463
10.0
2.8
3.1
550
1N5464
12.0
2.8
3.1
550
1N5465
15.0
2.8
3.1
550
1N5466
18.0
2.9
3.1
500
1N5467
20.0
2.9
3.1
500
1N5468
22.0
2.9
3.2
500
1N5469
27.0
2.9
3.2
500
1N5470
33.0
2.9
3.2
500
1N5471
39.0
2.9
3.2
450
1N5472
47.0
2.9
3.2
400
1N5473
56.0
2.9
3.3
300
1N5474
68.0
2.9
3.3
250
1N5475
82.0
2.9
3.3
225
1N5476
100.0
2.9
3.3
200
Package style
DO-7
DC Power Dissipation
@ Ta = 25°C
400 mW
Min Reverse Breakdown Voltage
@ IR = 10 A
30 V
Max Reverse Current (IR)
@ 25 Vdc
0.02 A
Max Reverse Current (IR2)
@ 25 Vdc 150°C
20 A
Temp. Coefficient of Capacitance
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c
.04% /°C
Operating Temperature (Topr)
-65 to +175°C
Storage Temperature (Tstg)
-65 to +200°C
Capacitance Tolerance
Standard Device
±20%
Suffix A
±10%
Suffix B
±5%
Suffix C
±2%
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV1N5463A | 10 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| JAN1N4623UR-1 | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTXV1N4622C | 3.9 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
| JANHC1N963D | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JANHC1N974A | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N5518B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
| JAN1N5518B-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
| JAN1N5518BUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk |
| JAN1N5518C-1 | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35（DO-204AH） 标准包装:1 |
| JAN1N5518CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
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