型号: | JAN1N5530CURTR-1 |
厂商: | Microsemi Corporation |
英文描述: | Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
中文描述: | 低电压表面贴装500毫瓦雪崩二极管 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 113K |
代理商: | JAN1N5530CURTR-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JAN1N5530D | surface mount silicon Zener diodes |
JAN1N5530D-1 | Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
JAN1N5540 | Quad 2-input NAND gate |
JAN1N5540-1 | Quad 2-input NAND gate - Description: Quad 2-Input NAND Gate ; Logic switching levels: TTL ; Number of pins: 14 ; Output drive capability: +/- 12 mA ; Power dissipation considerations: Low Power ; Propagation delay: 7@3.3V ns; Voltage: 1.0-5.5 V |
JAN1N5540A | surface mount silicon Zener diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N5530D-1 | 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 |
JAN1N5530DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
JAN1N5531B-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 417MW 2PIN DO-204AA - Bulk |
JAN1N5531BUR-1 | 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk |
JAN1N5531C-1 | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/437 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 |