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参数资料
| 型号： | JAN1N5802 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | JAN1N5802 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N5809 | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5811 | 6 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5804 | 3.3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5807 | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5802 | 3.3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N5802URS | 功能描述:Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| JAN1N5802US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5804 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5804URS | 功能描述:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| JAN1N5804US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 2.5A 2-Pin A-MELF T/R 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
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