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参数资料
| 型号： | JAN1N5809 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | JAN1N5809 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N5804 | 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTXV1N5819UR-1 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| JANTXV1N5819-1 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| JANTXV1N6147US | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JAN1N6147US | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N5809URS | 功能描述:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| JAN1N5809US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5811 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case E |
| JAN1N5811CBUS | 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF |
| JAN1N5811URS | 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
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