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参数资料
| 型号： | JAN1N6074 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SIMILAR TO DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 352K |
| 代理商： | JAN1N6074 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED
ULTRA FAST RECOVERY GLASS
POWER RECTIFIERS
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2004
12-08-2004 REV A
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
1N6073 thru 1N6081
1N6073
thru
1N6081
Lead Length
RθJL
Lead Length
RθJL
Lead Length
RθJL
INCHES (mm)
OC/W
INCHES (mm)
OC/W
INCHES (mm)
OC/W
0.000
0.125 (3.17)
0.250 (6.35)
0.375 (9.53)
0.500 (12.70)
0.750 (19.05)
5.0
11.5
17.5
23.5
29.0
40.0
0.000
0.125 (3.17)
0.250 (6.35)
0.375 (9.53)
0.500 (12.70)
0.750 (19.05)
8.5
14.0
19.5
25.0
30.0
40.0
0.000
0.125 (3.17)
0.250 (6.35)
0.375 (9.53)
0.500 (12.70)
0.750 (19.05)
13
24
35
46
54
70
1N6079, 1N6080 and 1N6081
1N6076, 1N6077 and 1N6078
1N6073, 1N6074 and 1N6075
NOTES:
1. Dimensions are in inches
2. Metric equivalents (to the nearest .01mm) are given for general information only and are based upon 1 inch = 25.4 mm.
PACKAGE DIMENSIONS
PACKAGE A (1N6073-75)
NOTE: Lead diameter tolerance = +0.003/-0.004 inches
PACKAGE E (1N6076-78)
NOTE: Lead diameter tolerance = +0.002/-0.003 inches
PACKAGE G (1N6079-81)
NOTE: Lead diameter tolerance = +0.002/-0.003 inches
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV1N6077 | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANS1N6079 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N6079 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N6081 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTXV1N6081 | 12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N6075 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N6076 | 功能描述:Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
| JAN1N6077 | 功能描述:Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
| JAN1N6078 | 功能描述:Diode Standard 150V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:E，轴向 供应商器件封装:E-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
| JAN1N6081 | 功能描述:Diode Standard 150V 2A Through Hole G, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/503 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:G，轴向 供应商器件封装:G，轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 |
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