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参数资料
| 型号： | JAN1N6138 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, G, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 536K |
| 代理商： | JAN1N6138 |
Voidless-Hermetically-Sealed Bidirectional
Transient Suppressors
SCOTTSD A L E DIVISION
1N6102 thru 1N6137A
and 1N6138 thru 1N6173A
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
1N6
102
–
1
N
6137
A
1N6
138
–
1
N
6173
A
GRAPHS
PULSE TIME (
tp)
FIGURE 1
PEAK PULSE POWER vs. PULSE TIME
MAX
PEAK
PULSE
PO
W
E
R
(P
PP
)OR
CURREN
T
(I
PP
)I
N
PERCENT
OF
MAX
RATIN
G
S
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)
100
10
0
10,00
0
JUNCTION TEMPERATURE (TJ) IN
oC
FIGURE 2
PEAK PULSE POWER vs. TJ
(prior to impulse)
PULSE
CURRE
NT
(I
PP
)
IN
PERCENT
OF
I PP
TIME (t) IN MILLISECONDS
FIGURE 3
PULSE WAVE FORM
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2004
10-08-2004 REV A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV1N6138A | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTXV1N6125US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JANTXV1N6164US | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JAN1N6115AUS | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| JAN1N6117US | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N6138A | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.46V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:142.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 |
| JAN1N6138AUS | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.46V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:142.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 |
| JAN1N6138US | 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 |
| JAN1N6139 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
| JAN1N6139A | 制造商:Semtech Corporation 功能描述:T DAP 1500W 7.5V 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 5.7V 1.5KW 2PIN G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM CPKG AXIAL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 1500W C-PKG AXIAL |
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