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参数资料
| 型号： | JAN1N751AUR-1 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GLASS, LL34/35, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | JAN1N751AUR-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| JANTXV1N758AUR-1 | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| JANTX1N746AUR-1 | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| JANTX1N747AUR-1 | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N751C-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| JAN1N751CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JAN1N751D-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| JAN1N751DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JAN1N752A | 制造商:MICRO SEMI 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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