型号: | JAN1N751B |
厂商: | Microsemi Corporation |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
中文描述: | 在250μA低电流操作,低反向漏,低噪声稳压二极管(250μA工作电流,小反向漏电流,低噪声,齐纳二极管) |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 218K |
代理商: | JAN1N751B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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JAN1N751B-1 | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
JAN1N751BTR | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
JAN1N751BTR-1 | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
JAN1N751BUR | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
JAN1N751BUR-1 | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·¥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?£°???é???o3?o???????) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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JAN1N751C-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JAN1N751CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JAN1N751D-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
JAN1N751DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
JAN1N752A | 制造商:MICRO SEMI 功能描述: 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |