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参数资料
| 型号： | JAN1N753AUR-1 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | JAN1N753AUR-1 |
CDLL746 thru CDLL759A
and
CDLL4370 thru CDLL4372A
100
50
20
10
5
2
1
4
6
10
20
40
60
100
FIGURE 3
operating current (mA)
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
TEC , End cap temperature (°C)
POWER DERATING CURVE
500
400
300
200
100
0
Pd,
Rated
Power
Dissipation
(mW)
FIGURE 2
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| JANTXV1N4371AUR-1 | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JAN1N966BUR-1 | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTXV1N967BUR-1 | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| JANTX1N3028BUR-1 | 22 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| JANTX1N3031BUR-1 | 30 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N753C-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| JAN1N753CUR-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JAN1N753D-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| JAN1N753DUR-1 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 |
| JAN1N754A | 制造商:n/a 功能描述:1N754 N12I2B 制造商: 功能描述: 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: 制造商:Siemens 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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