参数资料
型号: JAN1N964BUR-1
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
文件页数: 1/2页
文件大小: 111K
代理商: JAN1N964BUR-1
相关PDF资料
PDF描述
JANTX1N5536D-1 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
JANTXV1N4454-1 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
JAN1N4148UR-1 0.125 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
JANS1N6158A 1500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
JANS1N6120A 500 W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
JAN1N964C-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):13 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JAN1N964CUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):13 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JAN1N964D-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):13 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1
JAN1N964DUR-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):13 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1
JAN1N965B 制造商: 功能描述: 制造商:INTRSL 功能描述: 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: